IBM presenta el primer chip de 0,7 nm con casi 100.000 millones de transistores

IBM presenta el primer chip de 0,7 nm con casi 100.000 millones de transistores y arquitectura Nanostack. 50% más rendimiento y 70% mejor eficiencia.

IBM ha anunciado el primer prototipo de chip fabricado en un nodo de 0,7 nm (7 ángstroms), un hito en la industria de semiconductores que supera los límites actuales del silicio. El circuito integra cerca de 100.000 millones de transistores y ofrece hasta un 50% más de rendimiento o un 70% de mejora en eficiencia energética respecto a sus chips de 2 nm, según la compañía. La clave es la nueva arquitectura Nanostack, que apila estructuras en 3D. Las primeras aplicaciones comerciales podrían llegar en un plazo de 3 a 5 años.

Este avance se produce en un momento en que la industria busca continuar la Ley de Moore más allá de los nodos actuales, especialmente para satisfacer la demanda de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.

La arquitectura Nanostack y el salto a 0,7 nm

IBM ha desarrollado una nueva técnica de fabricación denominada Nanostack, que va más allá de la simple reducción del tamaño de los transistores. En lugar de seguir el enfoque planar tradicional, la compañía apila estructuras completas en tres dimensiones mediante nanoláminas.

Esta arquitectura permite optimizar cada capa de forma independiente: algunas orientadas al máximo rendimiento y otras diseñadas para un consumo energético mínimo. El resultado es un equilibrio superior entre potencia y eficiencia, según los datos presentados por IBM.

El prototipo alcanza una densidad nunca vista, con casi 100.000 millones de transistores en una superficie similar al tamaño de una uña. Este logro demuestra que es posible seguir escalando incluso cuando la industria parecía acercarse a los límites físicos del silicio.

Mejoras en rendimiento, eficiencia y memoria

Según IBM, el nuevo nodo de 0,7 nm puede ofrecer hasta un 50% más de rendimiento o una reducción del 70% en el consumo energético en comparación con sus chips experimentales de 2 nm, dependiendo de la configuración y el tipo de aplicación.

La compañía también ha logrado avances significativos en la memoria SRAM, con una mejora cercana al 40% en su escalado. Este aspecto resulta especialmente relevante para cargas de trabajo intensivas como el entrenamiento y la inferencia de modelos de inteligencia artificial, donde la memoria cercana al procesador es crítica.

Estas mejoras posicionan a la tecnología de IBM como una candidata fuerte para futuros procesadores que demanden tanto potencia bruta como eficiencia energética, dos requisitos cada vez más importantes en centros de datos y dispositivos móviles.

Perspectivas de comercialización y socios del proyecto

Aunque se trata de un prototipo de investigación, IBM estima que las primeras aplicaciones comerciales de esta tecnología podrían materializarse en un plazo de entre 3 y 5 años. El desarrollo se realiza en colaboración con socios clave del ecosistema de semiconductores.

Entre ellos figuran Lam Research, Tokyo Electron y SCREEN Semiconductor Solutions, además del uso de equipos de litografía EUV High NA de ASML. Esta colaboración consolida una cadena de suministro avanzada para la próxima generación de chips.

El anuncio refuerza la posición de IBM en investigación de vanguardia, incluso después de haber vendido su división de fabricación de chips a GlobalFoundries hace años. La compañía mantiene una fuerte apuesta por la innovación en semiconductores a través de su división de investigación.

En el contexto global, este avance llega en medio de una fuerte competencia entre Estados Unidos, Taiwán, Corea del Sur y Europa por el liderazgo tecnológico en semiconductores. La capacidad de fabricar a escalas por debajo del nanómetro será decisiva para el desarrollo de la IA, la computación cuántica y otras tecnologías emergentes.